中南大学孙健教授来我院做学术报告

11月25日，中南大学物理与电子学院孙健教授应邀来我院，在教二楼301会议室进行了《基于二维材料的复合功能电子器件》的专题学术报告。报告会由我院易颖教授主持，学院机械系、电子信息系、通信系等多位老师和100余名研究生参加了本次报告会。

孙健，中南大学物理与电子学院教授，日本国立理化学研究所客座科学家，湖南省人才计划特聘教授，IEEE高级会员；长期专注于新原理电子信息功能器件的研发，通过探索材料及电子器件中的新颖物理现象入手，结合开发新的微纳制程技术，致力实现新原理、低能耗、高性能的电子功能原型器件统。主持国家自然科学基金、日本国家基金等多项；目前担任AAAS，AIP，IEEE，IOP，Wiley等众多学术期刊审稿专家，在IEEE sensors、Intermag等国际学术会议担任学术委员会成员以及分会主席等职务。

报告重点介绍孙健教授在二维材料纳米电子信息功能器件及传感器的最新研究工作。随着摩尔定律达到物理极限，传统硅CMOS晶体管由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，正面临发展瓶颈。二维材料由于其原子层级厚度使得栅极对其沟道的调控大大加强，因而可以有效克服短沟道效应，从而被认为是继续推进摩尔定律的重要材料基础。其次二维材料具有光电、机械性能、超高体表比等优异性能，可以用来构筑新型的传感器、微纳机电等“超越CMOS”的功能器件。

孙教授的报告非常精彩，以面向后摩尔时代半导体电子发展方向为切入点，探索二维半导体器件加工工艺和功能性应用，层层推进，逻辑分明。最后，易颖教授对孙健教授的报告做了归纳总结，强调了二维半导体在电子器件领域的优势和未来发展方向，并勉励学生多做前沿性的探索研究，多产出原创性的成果。